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适合于迭孔结构的半加成工艺研究
2010-05-12来源:百能网(PCBpartner)5174
适合于迭孔结构的半加成工艺研究
付海涛,程凡雄,任潇璐,羅永红(上海美维科技有限公司)
综上所述,立足于如何克服减成法、加成法与半加成法在精细线路制作上各自存在的问题,同时又能实现层间迭孔结构的連接方式,本研究提出了一种创新性的半加成工艺,即SAP3 ™技术(Semi-Additive Process with Plated Pillar),在完成迭孔结构的同时制作精细线路。这种技术不仅适用于PCB 迭孔工艺的制作,还可以制作Substrate 产品,在本文中主要介绍该技术在PCB 迭孔方面的应用,半加成工艺流程,使用的材料,主要制程的技术难点及解决方法。关于本技术在Substrate 产品上的应用,将在另一篇文章中介绍。
1. SAP3™工艺路线
下圖為 SAP3 ™ 工藝路線,主要包括:芯板製作,層壓,銅箔減薄,鐳射直接鑽孔,化學銅,垂直連續電鍍填孔,形成銅柱(Plated Pillar Forming),化學銅,圖形轉移與圖形電鍍,去膜和閃蝕,這一層build-up 完成後,可以繼續進行層壓,開始第二層build-up試板的製作。


用化学蚀刻方法将板面的铜层去除,这种方法简单,但控制比较困难,主要的原因是:铜层不均匀性和Dimple 的存在。现有的电镀填孔(copper filling)设备,用填孔药水将盲孔填平。在填充过程中,常出现兩个问题:1,板面的铜厚不均匀,电镀30um,极差在10um 左右;2,在填孔过程中,dimple 在10um 左右。在化学蚀刻过程中,使用的药水通常没有选择性,板面铜和盲孔中的铜一起蚀刻。如何保证整板面的铜被完全去除干净,而不影响盲孔铜柱是本步骤的重点。下面三张图片为电镀填孔后,进行蚀刻后dimple 过大的铜柱形态,进行蚀刻后理想的铜柱形态示意图。

采用物理研磨和化学蚀刻相结合的方法,利用它们彼此的优势达到最终的要求。下图是试验得到的铜柱照片。

RCC在处理过程中,容易受Desmear的咬蚀作用,表面形貌发生改变。图4是RCC表面形貌的SEM照片,表1是RCC上进行化学铜后,进行电镀30um并测试结合力测试和漂锡试验,结果剥離强度(peel strength)可以达到5.9lb/in,并可以通过8次漂锡测试。

FR4材料,特别是在无铅焊接領域中使用的高Tg的FR4材料,在Desmear处理过程中,Desmear咬蚀速率低,形成表面形貌不够理想,因此结合力不高。我们采用特殊的处理过程,使树脂与铜之间的剥離强度可以达到5.0 lb/in,并可以通过6次漂锡测试。

在细线图形转移制作的过程中,常常出现干膜与化学铜的结合力低,导致“干膜飞线”(dry film flying)的现象。見下图6,干膜的一部分已经脱離化学铜表面,这种情况不仅会降低产品的良率,还有可能导致批量报废。

我们选择了合适的干膜种類,通过控制Desmear 咬蚀的表面形貌,化学铜沉铜的致密程度等。制作了线宽/间距:75/75,50/50,40/40,30/30um 的线路,图7 是显影后干膜在铜表面的SEM 照片,没有发生“飞线”现象。图8 是制作的线宽/间距:50/50um 电镀后将干膜去除的SEM 照片。

闪蚀过程中,最常見的缺陷是线路底部的under cut,这种缺陷会造成线路底部与基材结合面积少,线路与基材的结合力下降,特别是在精细线路制作过程中,容易产生线路与板面分離的现象。图9a采用的是普通减薄药水进行的闪蚀,线路底部的under cut严重,线路几乎脱落,不可接受。而图9b,c,d 是采用三种不同闪蚀药水制作的线路图片。可以看到在这点上有明显改善,但是不同药水的闪蚀效果仍互有差異。




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