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适合于迭孔结构的半加成工艺研究

2010-05-12来源:百能网(PCBpartner)5174

适合于迭孔结构的半加成工艺研究

付海涛,程凡雄,任潇璐,羅永红(上海美维科技有限公司)

 

摘要: 本文介绍一种适用于迭孔结构HDI 产品的创新性半加成工艺,即SAP3 术(Semi-Additive Process with Plated Pillar)。这种半加成技术融合SAP 工艺,激光钻孔和电镀填孔的长处,既可以通过闪蚀工艺完成精细线L/S=50um/50um)的制作,也可以通过激光钻孔,电镀填孔与一定的蚀刻工艺完成迭孔结构。研究内容包括主要的工艺程,使用的材,各制程的技术难点及解决方法。
前言
随着电子产品向轻薄短小的方向发展,对产品精细化程的要求也越越高。在印制电板的制作中,除减小导通孔孔径外,缩小线尺寸也是提高产品密,减小完成板尺寸的一个重要方向。线板制作的过程中面臨兩个主要问题:1,精细线的制作;2,层间的可靠互。对精细线制作而言,减成法是传统且应用最多的成熟工艺,但加工细线条的能有限。全加成法适合制作精细线,但成本高且工艺还成熟。半加成法虽然可以进精细线的加工,但也存在化铜层与介质层间结合较差,热可靠性表现佳的缺点。在线板制造工艺中,另一个关键的问题是通过一定的手段实现层间的可靠互采用机械钻孔和沉铜电镀方式加工导电通孔的工艺,随着高密技术的发展,先采用激光加工盲孔,再沉铜电镀的方式也被大范围地使用。在盲孔排布上,既可以采用错孔设计的方式,也可以采用迭孔设计的方式。对于这通方式,由于迭孔形式节约布线空间,同时在高频传输时可以减少电磁干扰,是目前高端高密印制电产品所采用的导通方式。为实现这种结构,关键的一点是要采用电镀填孔的方式将盲孔电镀填平。目前线板制造业采用整板电镀填孔的工艺实现该目的。

综上所述,足于如何克服减成法、加成法与半加成法在精细线制作上各自存在的问题,同时又能实现层间迭孔结构的接方式,本研究提出一种创新性的半加成工艺,即SAP3 技术(Semi-Additive Process with Plated Pillar),在完成迭孔结构的同时制作精细线。这种技术仅适用于PCB 迭孔工艺的制作,还可以制作Substrate 产品,在本文中主要介绍该技术在PCB 迭孔方面的应用,半加成工艺程,使用的材,主要制程的技术难点及解决方法。关于本技术在Substrate 产品上的应用,将在另一篇文章中介绍。

1.     SAP3工艺线

下圖為 SAP3 工藝路線,主要包括:芯板製作,層壓,銅箔減薄,鐳射直接鑽孔,化學銅,垂直連續電鍍填孔,形成銅柱(Plated Pillar Forming),化學銅,圖形轉移與圖形電鍍,去膜和閃蝕,這一層build-up 完成後,可以繼續進行層壓,開始第二層build-up試板的製作。

 

 

3.6 除钯
闪蚀后的线出现阳子迁移失效和化学镍后渗金兩种缺陷。这个缺陷产生的原因是由于闪蚀后试板的树脂表面存在着钯子。在SAP 工艺中,整板面进学铜,化学铜过程中使用钯作为催化剂,在树脂表面会均匀的覆盖一层钯子。闪蚀过程仅仅能处树脂表面的化学铜,对钯的处效果明显。在绝缘电阻测试中,线间绝缘树脂上的钯子会在潮湿环境和偏压的作用下发生导致阳子迁移(CAF),使线间的绝缘电阻小于1MOhm。或者在后续化学镍中,由于树脂表面残钯,造成线之间本应绝缘的区域渗。下图所示的张图片为闪蚀后的试板经过化学镍的线表面况。
目前,除钯药水可分为兩類:钝化钯和去除钯,下面进简单的介绍。
1)钝化钯
外层蚀刻完毕后,将试板浸在钝化药水中,树脂面残的钯子用一层有机膜包覆,使其会发生渗子迁移。但这种方法有一个很大的缺陷,钝化药水并是选择性只钝化钯子,它同时也会将线表面的铜层进钝化。
2)去除钯
去除钯的药水对基板材上的钯进咬蚀,将钯子去除,药水在咬蚀钯的同时,对铜也有轻微的咬蚀作用。除钯药水供货商通过添加抑制剂减少药水对铜的侵蚀作用。
11a是未经过除钯处的线,线之间出现严重的渗现象,已经发生短
11b 为我们采用去除钯药水处后制作的线,线之间没有渗现象。

 

2. SAP3工艺技术难点及解决方法
2.1 铜柱的制作
SAP3 的工艺线中,与常规的半加成法最大的差别在于可以实现迭孔设计。为实现该工艺目的,采用传统的RCC FR4 层压,然后进激光直接钻孔,电镀填孔完成后,将板面铜层去除,仅保铜柱的部分。去除整板面铜层,形成铜柱既可以采用化学蚀刻的方法或者物研磨的方法,但是都有一定的局限性。我们采用物
研磨和化学蚀刻者相结合的方法,制作出了理想的铜柱结构。
1化学蚀刻

用化学蚀刻方法将板面的铜层去除,这种方法简单,但控制比较困难,主要的原因是:铜层均匀性和Dimple 的存在。现有的电镀填孔(copper filling)设备,用填孔药水将盲孔填平。在填充过程中,常出现个问题:1,板面的铜厚均匀,电镀30um极差在10um 左右;2,在填孔过程中,dimple 10um 左右。在化学蚀刻过程中,使用的药水通常没有选择性,板面铜和盲孔中的铜一起蚀刻。如何保证整板面的铜被完全去除干净,而影响盲孔铜柱是本步骤的重点。下面三张图片为电镀填孔后,进蚀刻dimple 过大的铜柱形态,进蚀刻后想的铜柱形态示意图。

 

获得如图2c态,我们进以下三方面的研究:1,考虑盲孔与板面蚀刻速的差,我们需要板面的速比较大,而盲孔的蚀刻速小,因此考虑形成差分蚀刻。;2,蚀刻设备的选择。化学蚀刻可以通过同生产线进,包括DESHE 等。同的设备其蚀刻的特点也尽相同。喷设备可以得到较大的蚀刻速而浸没式蚀刻的均匀性比较好,可根据需要进选择。3,蚀刻參數的控制,蚀刻要求:整板面铜去除干净,盲孔受影响。
2研磨
选用物研磨去除板面铜,需要在研磨的过程中控制。同时,树脂层被研磨后表面的粗糙有所低,在后续Desmear 中很难形成需要的表面粗糙,有可能导致树脂与化学铜的结合低下,无法通过耐热性测试。
3)物研磨和化学蚀刻相结合的方法

采用物研磨和化学蚀刻相结合的方法,用它们彼此的优势达到最终的要求。下图是试验得到的铜柱照片。

 

3.2 化学铜和介质材间的结合
在半加成法中,介质层上的导电层是通过化学镀的方法形成化铜层,然后在化铜层上用电镀加厚的方法得到。化学铜层与介质材之间的结合一般比较差。在进元器件贴装时,线板一般要经过230-260摄氏左右的高温,如果结合比较差,铜层与介质层之间容,线板热可靠性表现佳。我们选择合适的esmear和化学铜药水,在Desmear中,在树脂表面制作出具有一定粗糙的形貌,然后采用适合的化学铜药水,提高化学铜和树脂之间的结合
1) RCC

RCC在处过程中,容Desmear的咬蚀作用,表面形貌发生改变。图4RCC面形貌的SEM照片,表1RCC上进化学铜后,进电镀30um并测试结合测试和漂锡试验,结果剥peel strength)可以达到5.9lb/in,并可以通过8次漂锡测试。

 

2) FR4

FR4,特别是在无铅焊接域中使用的高TgFR4,在Desmear过程中,Desmear咬蚀速低,形成表面形貌想,因此结合力不高。我们采用特殊的过程,使树脂与铜之间的剥可以达到5.0 lb/in,并可以通过6次漂锡测试。

 

3.3 图形转移

在细线图形转移制作的过程中,常常出现干膜与化学铜的结合低,导致干膜飞线dry film flying)的现象。下图6,干膜的一部分已经脱化学铜表面,这种情况仅会低产品的良率,还有可能导致批报废。

 

我们选择合适的干膜种,通过控制Desmear 咬蚀的表面形貌,化学铜沉铜的致密程等。制作线宽/间距:75/7550/5040/4030/30um 的线,图7 是显影后干膜在铜表面的SEM 照片,没有发生飞线现象。图8 是制作的线宽/间距:50/50um 镀后将干膜去除的SEM 照片。

 

3.4 图形电镀
SAP工艺中,在化学铜的基础进电镀加厚,实际上是用图形电镀形成线。在图形电镀过程中,图形分布均匀导致电线分布均,造成同位置沉积速率不同,线的厚变大。在精细线区域,线的厚比较大,通常在30um,而在大铜面比较集中的区域,线的厚比较小,通常在15um,这样,在整个板面上铜厚布极均匀。关于改善的方法,我们首先进行了图形电镀均匀原因的分析。属镀层在阴极上的分布取决于初次电分布,二次电分布以及电,对于酸铜镀铜液而言,阴极电几乎相同,因此影响属镀层阴极分布主要是初次电分布和二次电分布。初次电分布是仅考虑阴极同表面至阳极几何距離不同时的阴极电分布情况。同的阴阳极形同图形分布,阴极表面的平整性等都会导致阴阳极之间距離不同,从而带线分布的差,导致铜层厚。一般而言,在板边缘会存在边缘效应,导致边缘铜层偏厚。而在实际的操作中,很难保证板面的绝对平整性,因此造成板面靠近阳极的区域铜层偏厚。当电通过镀液时,阴极和阳极都会同程极化,特别是存在添加剂的镀铜液而言,极化现象是普遍,这种由于极化存在而导致的同电分布称之为二次电分布。溶液导电能,阴极极化程以及阴阳极之间距都会影响二次电分布情况。
下面就可能影响电镀铜层厚均匀性各因素及应对措施进介绍。
1)设备因素
电极的形和尺寸、电极间的距、电极在镀槽中的位置和镀槽的形、改变搅拌等,都会影响电线的分布从而影响电镀层的厚均匀性。
同电镀设备采用同的阴阳极布置方式,从而得到同的电镀均匀性。种是普通的垂直板电线,阴阳极位置固定,采用浮架等方式对板面下部进调整,
正常电镀条件下,可以得到厚极差均匀性约为50%。第二种是垂直续电镀线,电镀缸较长,阴极在阳极缸里从一端进入,向另外一端运,运过程同时进电镀。由于阴极和阳极相对位置并固定,因此电线的微区分布密也随着运过程断变化,使得电线的分布趋于均匀,从而提高电镀均匀性。正常电镀条件下,垂直续电镀线板电的极差均匀性约为30%。水平电镀是第三种电镀线,其中,阴极也是采用移动的方式进电镀,因此具有垂直续电镀线的优点。其它的同包括电方式等。正常生产条件下,水平电镀的铜厚极差均匀性约为10%
由此可以看出,可以同阴阳极设置,包括辅助阳极、辅助阴极,阴极走,挡板遮挡,加大阴阳极距等等方式,有效提高电镀均匀性。当然,搅拌对于SAP 艺具有重要的作用,孔内的充分交换是保证填孔以及铜柱生长最基本的条件。
2)溶液因素
阴极极化变化,会调整二级电分布。极化越大,二级电分布越均匀,从而得好的层均匀性。因此,凡是有于增强阴极极化的措施都有于镀层均匀性的提高。在镀铜液中加入适的络合剂或者添加剂,均能达到改善镀层分散能提高均匀性的目的。比如,通常会在镀液中增加整平剂,此添加剂带有很强的正电性,很容附在镀件表面电较大初,与铜子竞争,使铜子在高电不易沉积,同时又
影响低电区的铜沉积,使原本起伏平的表面变得为平坦,从而达到提高均匀性的目的。
一般來說,提高电导,能提高覆盖能。特别是当阴极极化较大时,提高电导能够显著地提高溶液分散能,得到较好的电镀均匀性。镀铜溶液酸和铜子浓的比,对导电性影响很大,因此成为影响电镀均匀性的关键因素。一般而言,溶液中高酸铜比能够得到较好的电镀均匀性。纵观SME 用于板面电镀的各种药水,都采用高酸低铜的成分。
因此,实际研究中,需要对同厂家药水的特点进评估,找到符合要求的药水。
3)电镀參數因素
电镀參數包含电方式以及电大小个方面。共有三种电方式可用于镀铜生产。
第一种是直,在直电镀方式下,铜断堆积到阴极表面。随着时间的延长,厚的差增大。另外,电的增加提高阴阳极之间的电场强,沉积速快,电线强加剧,化板面镀层均匀性。因此,推荐采用小电铜层加厚。
第二种是无反向电的脉冲电镀。脉冲电镀和直相比,具有一个静止时间,在这段时间内,被消耗的铜子可以得到补充,从而极化,可以采用大的电生产。但是,由于脉冲电镀具有静止非电镀期,因此在电镀过程中,要得到和相同条件下的沉积速,必须采用高的峰值电,导致有效电镀沉积期沉积速高于直,因此等效电条件下,其均匀性比直要差。
第三种是含反向电的脉冲电镀。反脉冲电镀仅具有脉冲电镀的静止期,为重要的是它具有一段高电的反脉冲时间,在反脉冲时间内,电线的分布和正脉冲一样,因此电镀期间电线集中厚较厚的区域铜的溶解速加大,因此可以得到极高的电镀均匀性。在反脉冲电镀中,电镀均匀性多取决于正反脉冲的时间和电高低的搭配。
普通板电线采用直电镀,极差均匀性约为50%,而采用反脉冲的水平线在制备相同铜层时,虽然电高达6ASD,但铜厚极差均匀性在10%实际研发过程,除评估低电条件下的电镀均匀性,还要评估含反向电脉冲电镀的均匀性结果,选择最优的电镀方式,此外,还需要适当增加辅助阴极图形,才能保证试板的均匀性达到设计的要求。
3.5 闪蚀
半加成法工艺过程在基板上进化学铜,形成抗蚀图形后经过电镀将基板上图形加厚,去除抗蚀图形,然后再经过快速蚀刻将树脂表面多余的化学铜层去除。这一步快速蚀刻被称之为闪蚀Flash Etching),其作用机是:用化学铜与电镀铜蚀刻速同,形成差分蚀刻的效果,达到去除基底化学铜的目的,形成完整的线图形。闪蚀是半加成法与传统工艺的显着差别之一,有较多的问题需要进

闪蚀过程中,最常的缺陷是线底部的under cut,这种缺陷会造成线底部与基材结合面积少,线与基材的结合,特别是在精细线制作过程中,容产生线与板面分的现象。图9a采用的是普通减薄药水进的闪蚀,线底部的under cut严重,线几乎脱可接受。而图9bcd 是采用三种同闪蚀药水制作的线图片。可以看到在这点上有明显改善,但是同药水的闪蚀效果仍互有差

 

闪蚀过程中,另一种缺陷是线的顶部发生变形,这是由于线顶部直角的区域药水交换充分,顶点的电势比较高,容受到蚀刻药水的攻击。线顶部发生变形后会导AOI 检测时,会产生很多假点。由于同样的原因,通孔孔角处的铜厚也会由于闪蚀而造成过薄。因此,在考察闪蚀能的过程中,也应该将这一点入考察项目之中。
上述个线控制以外,还需要对蚀刻过程中线宽的缩减。在闪蚀过程中,基底的化学铜层被蚀刻的同时,线的宽会随同一起缩减。闪蚀药水开发的过程中,在药水中添加各种添加剂,使线XY 方向上的蚀刻速有所区别,保证线符合客户要求。我们按照上述控制方法,已经成功的制作50/50 的线图形,如下图所示。
 

 

 

 

4.
SAP3 技术融合SAP 工艺,激光钻孔和电镀填孔的长处,采用化学蚀刻和物研磨的方法制作铜柱;通过采用适当的Desmear 和化学铜药水,提高树脂与化学铜的结用闪蚀工艺完成精细线L/S=50um/50um)的制作,通过激光钻孔,电镀填孔与一定的蚀刻工艺完成迭孔结构。

 

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