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三星将量产30纳米级内存芯片 速度将翻倍
2010-07-23来源:百能网(PCBpartner)833
三星将量产30纳米级内存芯片速度将翻倍
【百能报道】近期,全球最大的内存芯片厂商三星电子称,它已经开始大批量生产高级的DRAM内存芯片。这将有助于拉开三星电子与二流竞争对手的距离和降低生产成本。三星电子在声明中表示,它已经从本月开始使用30纳米级加工技术大批量生产新的2GBDDR3DRAM内存芯片。
30纳米级意味着一个加工技术节点在30至39纳米之间,是比三星电子一年前开发的技术更高级的技术。1纳米是1米的十亿分之一。DRAM内存用于服务器、笔记本电脑和台式电脑保持数据。
三星电子称,30纳米级技术预计将比50纳米或者60纳米加工技术生产的同样的芯片减少大约一半的成本。而新的用于PC的内存芯片能够以每秒钟2,133MB的速度处理数据,比其它产品的速度快16倍。
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