整个手机基带芯片从预研到量产需要一个漫长的流程。目前市场上有人会将芯片流片成功误解为产品可以成功量产上市。殊不知，芯片的流片成功仅仅是刚开始。如果是一款全新设计的产品，距离其大规模量产上市往往还需要有6到12个月以上。一款芯片研发往往需要经历8个步骤，包括芯片前端设计、芯片后端设计、流片、调试协议栈和软件、场测、运营商认证、量产供货、手机正式上市等。

　　预计未来TD-LTE手机基带芯片主流是28nm单芯片方案。出于保护国内TD产业链的需要，中国政府和运营商要求国内的TD-LTE手机必须兼容TD-SCDMA，也就是说未来国内商用的TD-LTE手机要支持5种模式：GSM,UMTS, TD-SCDMA, FDD-LTE和TD-LTE,甚至还会有CDMA1x。从芯片角度，解决手机多模有两种方案：单芯片和双芯片。单芯片就是指把所有的制式都集中在一颗芯片上，最有代表性的芯片就是高通的MSM8960，号称全球模式，支持TD-LTE/LTE FDD /TD-SCDMA/UMTS /GSM/EVDO /CDMA 1*等。双芯片方案就是采用一颗3G及3G以下兼容芯片，外加一颗4G LTE芯片，这个方案的好处是可以把LTE芯片也用40nm生产，但成本非常昂贵，面对单芯片方案没有任何竞争力。但另一方面，28nm制程，体积小，功耗低，成本要比制造40nm的同规格产品便宜很多。因此预计未来28nm及以下产品将是手机基带芯片的主流配置.而40nm多模产品的竞争力不够，如果是单模(仅有LTE功能)可作为数据卡的产品，预计最快明年可以商用。.预计明年28nm的产能依然非常紧张。28nm的优势比起40nm来说的确非常大，但缺点也很多。目前全球第三方代工提供28nm制程的只有台积电一家，不但产能非常紧张，同时每次流片的费用非常昂贵，(500万美元一次，而40nm流片一次只需要100万美元)。因此，预计到明年底，能采用28nm产品流片的厂商依然不超过5家，除了高通外，展讯、联发科、Marvell、海思依次有这个可能。

　　中国TD-LTE手机基带芯片的全面开花可能要等到2014年。从我们与产业链的上下游沟通来看，明年可能只有高通会推出多模单芯片的商用TD-LTE语音芯片（联发科可能在明年下半年到后年上半年推出），别的公司可能推出LTE数据卡，或者单独的LTE芯片（如海思）。由于明年全球28nm芯片的产能依然非常紧缺，预计要等到28nm的产能瓶颈解决后，才能迎来TD-LTE多模的春天，而这很可能是要等到2014年。

　　投资策略与建议：

　　TD-LTE手机基带芯片的研发进度目前来看是受制于28nm的产能瓶颈和TDSCDMA与TD-LTE的研发难度，预计要到2014年多个公司的基带芯片方案才能量产上市，我们认为这个也是中国的TD-LTE商用的大前提。因此预计中国TD-LTE在2014年将迎来大规模商用化的春天。