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三星电子、东芝加码资本支出

2014-05-20来源:时报资讯574

从三星、东芝等各大NAND Flash今年生产计画来看,多数NAND Flash厂在今年提升产能的主要来源主要依旧为制程转进,加上今年2014年开始进入奈米微缩制程倒数的阶段,资本支出主要是针对明年开始逐渐量产的3D-NAND Flash,金额也估计增加至92亿美元,较去年增加12%。

根据市场研究机构集邦科技旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查,三星电子今年主要产能扩充的部分来自于中国西安厂,而西安厂也在今年5月初正式宣布开始营运,生产目标为3D-NAND Flash,然而考量3D-NAND Flash的客户认证与应用尚需要时间的情况下,预期三星西安厂今年对于整体产出的实质贡献将十份有限,产出年增率估计为接近40%。

东芝阵营的部分,第5厂第2期工程将在今年第3季建置完成,相关机台设备将从第4季开始移入,主要将针对先进的1z奈米与3D-NAND Flash,量产时间将从明年第1季开始。同时,东芝也积极展现对于3D-NAND的企图心,日前宣布将改建原先旧有的第2厂,预计最快在2016年将可开始生产全新的3D-NAND Flash,推估东芝阵营今年的产出成长自积极转进1y奈米的情况下,年产出成长率也有38%水准。

SK海力士在无锡厂火灾后复原的情况良好,原先挪移支援DRAM生产的NAND Flash产能将在第2季转回生产NAND Flash,第2季的NAND Flash产能将回到去年第3季火灾前的水准。由于SK海力士16奈米的嵌入式产品认证进度良好,今年产出从第2季开始将可满足主要OEM客户在下半年旺季的需求。

美光阵营新加坡厂产品线由DRAM转进NAND Flash的进度,将在第2季完成,未来美光新加坡的NAND Flash月产能将提升至23万片水准,成为美光阵营生产NAND Flash相关重要产品如eMMC、eMCP、SSD的重要基地。

因此综合NAND Flash厂今年的投产进度,集邦科技预估2014年NAND Flash整体产业的产出位元成长率为38%。随着下半年即将进入各种行动装置的旺季出货高峰期,预期2014年受惠智慧型手机、平板电脑、企业级SSD的强劲成长,整体产业产值可望较2013年成长5%,来到252亿美元规模。

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