据媒体报导，联电 （2303） 执行长颜博文在造访日本时透露，联电最快将在2016年第三季（7～9月）投入10奈米半导体制程的试产。

联电计画在今年底开始试产14奈米制程晶片，并在2016年上半年进入量产。之后，联电将把注意力转向10奈米晶片制程的开发。

直到目前为止，联电在缩小晶片制程技术方面的资本支出，仍然落后其他晶片厂。该公司今年才开始量产28奈米制程晶片。

全球最大晶圆代工厂台积电亦计画在2016年投入10奈米晶片的量产，这意味着联电在最尖端的10奈米世代，将与台积电正面对决。

颜博文对此表示，不像台积电已经与苹果、高通等IC设计大厂建立稳固的业务关系，联电采取较为弹性的做法，选择与规模较小的客户合作。

至于日本市场，颜博文表示，联电此行希望能说服日本从设计到制造等所有领域的晶片厂，将晶片委由联电代工会更具成本竞争力。