晶圆代工厂中芯(SMIC)日前宣布，与手机晶片大厂高通携手，将以28纳米多晶矽(PolySiON)、以及28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程，为高通量产骁龙(Snapdragon)处理器。
　　
中芯说明，将与高通子公司──美国高通技术公司(QualcommTechnologies,Inc.)在28奈米制程和晶圆制造服务方面紧密合作，在中国制造高通骁龙处理器。中芯强调，高通是全球最大的无晶圆厂半导体供应商之一，同时也是全球3G、4G及新一代无线技术的领先者，其骁龙处理器是专为行动装置而设计。中芯看好，该合作将会提升中芯于28奈米制程的成熟度及产能。
　　
中芯早先已接获高通电源管理、无线及连接IC等产品订单，此次则是在28奈米制程进一步携手。中芯透露，未来还会将其技术延伸到3DIC以及射频前端(RFfront-end)的晶圆制造，以支援高通持续扩展的骁龙产品系列。
　　
中芯首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，很高兴能够与美国高通技术公司达成此项合作，这对中芯28纳米制程的完善以及竞争力的提升，具有重要的里程碑意义，相信得到美国高通技术公司的支援，28奈米将会成为中芯最重要的成长动能。中芯也预期，28纳米制程的生命周期长度将会超越先前的技术节点。
　　
美国高通技术公司执行副总裁兼QCT联席总裁MurthyRenduchintala则表示，中芯是美国高通技术公司的重要供应商之一，其实力和技术正不断提升，以满足高通更高的产品需求。高通很高兴能与中芯合作，并期待在中国开始其28奈米的产品制造，并执行高通的区域供应链战略。他强调，中芯正于高通全球运营中扮演日益重要的地位。