据报道，三星去年8月就宣布推出全球第一款采用3D立体硅穿孔封装技术打造的内存芯片，单条DDR4内存条容量高达64GB。三星近日宣布,将批量生产128GB内存芯片，容量比去年翻了一倍。

　　“我们很高兴批量生产高速度运行、低功耗的128GB立体硅穿孔封装技术DRAM内存，这将促进我们全球IT客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,”三星电子内存销售及营销的副总裁Joo Sun Choi称。

　　据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了144个芯片，形成了36×4GB DRAM封装，每个封装中有4×8Gb芯片，所以采用128GB的容量。而且该内存芯片采用了三星最先进的20毫微米工艺制造，数据传输速度高达2400Mbps。它的作用是，代替使用互连引线接合，像在常规芯片封装芯片堆叠的是，在芯片管芯是第一精细研磨，然后用细孔穿孔电极由穿过孔垂直连接。这提升信号传输并配上模块的特殊设计，当它优化模块的功耗和性能。

　　三星正研究20毫微米的8GB内存芯片，接下来数据传输速度将逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外，三星还会把硅穿孔技术应用到高带宽内存中。

　　这是一个什么样的概念？这或许意味着在条件允许的情况下，就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戏，不论是单机还是网络游戏，十开都不会卡!这绝对不是夸大其词，毕竟，8GB配置的笔记本电脑目前就基本已经可以支持玩所有的大型游戏了。

　　当然，这样一个RAM内存芯片的价格自然不会便宜，虽然三星没有给出具体价格，但是他们也表示，这款RAM内存芯片的价格绝对不会低于一台普通的笔记本电脑。

    来源：环球网