摘要：3月28日武汉新芯将举行存储器项目动工仪式，项目投资总额240亿美元，产能30万片/月，这标志存储芯片国产化又迈进一步。

    投资要点

    国家队牵头，存储芯片投资加速。武汉新芯存储项目由国家集成电路产业投资基金牵头，携手湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出资，总投资额240亿美元。项目重点发展3D NAND，同时兼顾部分2D NAND和DRAM，预计产能规模在30万片/月，达产时间预计在2020年前后。在此项目之前，15年10月上市公司同方国芯携手国家集成电路产业基金，公告投资932亿元用于存储芯片项目，产能12万片/月，达产时间在2018年。国家和地方政府层面对存储芯片的投资力度不断加大，以实现投资带动经济增长和结构转型，同时完成"中国制造2025"规划对集成电路自给率提升的政策目标。可以预见，未来5-10年是国内集成电路产业链的发展的黄金期。

    存储芯片进口替代空间大、技术有望弯道超车。芯片是国内进口第一大商品。15年国内进口芯片3139.96亿块，同比增长10%；进口金额2307亿美元，同比增长6%。而在芯片领域，存储芯片是产值和需求量第一的芯片，占芯片总产值近25%。2015年国内的存储芯片的市场规模接近2800亿元，进口比例超过90%，预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元。未来5-10年阶段，国产化的存储芯片进口替代空间巨大。另外，从存储芯片的技术趋势来看，随着存储芯片的存储密度指数增长，芯片的制造从传统的2D向3D转变，而中国企业与全球竞争对手在3D布局的差距相对更小，国内企业未来有望借助3D存储技术和贴近国内巨大需求市场实现弯道超车......点击查看详情