DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年五月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。市调单位集邦科技预估，第三季个人计算机（PC）将进入出货高峰、中国品牌智能型手机出货持续走扬，再加上新一代iPhone 4.7吋（2GB）及5.5吋（3GB）的拉货动能，将消耗可观的DRAM产能。此外，各家DRAM供货商对于制程转进的态度趋于保守，DRAMeXchange预估2017年后DRAM供给位恐低于20%，可望成为DRAM价格止跌回稳的契机。

　　集邦表示，为因应旺季需求提升，目前三大DRAM厂有计划性的将标准型内存产能再转往行动式内存。而原预期下半年来自SK海力士的21奈米与美光的20奈米位产出，也因良率提升不易而有所下修。各厂因制程微缩进入后20奈米瓶颈，如持续转进1X/1Y奈米不仅难度增加，位成长的效益亦不高，因此皆一面降低资本资出的金额，同时放慢对更先进制程转进的脚步。集邦预估2016年DRAM总位供给成长自原先的25%下修至23.1%，过往动辄30～50%的年度位供给成长不再，供过于求的态势产生收敛。

　　根据集邦最新报价显示，现货市场DDR3 512x8颗粒报价于6月6日开始已出现涨幅，并在本周延伸至DDR4颗粒的报价上，反应出市场乐观的预期性心理。合约价方面，虽然针对第三季的议价尚未完成，但PC OEM已展现出积极的补货意愿，且部份品牌在DDR4的拉货上已稍微吃紧，也使得第三季的价格欲跌不易。

    来源：财讯快报