摘要：IBM 日前成功实现在高温环境下利用64000 个存储单元、每个单元存储3 bit 数据的存储效果，且此PCM 拥有高达百万次的数据擦写能力。PCM 兼具DRAM 和闪存的优势，在此数据存储密度下，PCM 的成本将比DRAM 低很多，接近闪存。

    PCM 作为新一代存储技术，利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转换的相变来储存数据，其芯片目前广泛使用的核心材料是GST（由锗锑碲按比例混合而成）。PCM 的写入速度比flash快100 倍，并具备高达百万次的数据擦写能力（普通USB 3000次，企业级flash 3 万次）以及非易失性等优势，成为存储产业继DRAM、ROM、FLASH 的“后起之秀”。IBM 发布的技术革新，使PCM 的存储密度大大提高，为PCM 技术的规模商业应用带来新的驱动力。

    互联网大数据、云计算的兴起带来了海量的数据存取需求，也对存储器的性能提出了更高的要求。PCM 大幅提升了Flash 的核心问题，即存储速度和擦写次数（耐用性），且断电数据不丢失，未来既可单独使用，也可作为快速缓冲区与其它存储器一起使用，可广泛应用于智能终端、物联网、云计算、大数据平台中。初步预计，2020 年将达到百亿市场空间。同时，随着核心材料GST 的大规模使用，金属锗的需求有望被大幅拉动，形成超预期效应。

    存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM 和NAND FLASH 芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SK Hynix 两家为首，共占据了DRAM 市场和NAND FLASH 市场70%和50%的市场份额。PCM 技术的突破有望带来产业变革，行业有望重新洗牌，企业有望弯道超车。中国于2013 年发布了自主研发的55 纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。在半导体产业上升为国家战略的大背景下，我们看好中国产业链在PCM 的发展前景......点击查看详情