2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。 

2016年下半存储器业者别3D NAND Flash量产规划

    三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层、48层3D NAND Flash，2016年下半将量产64层3D NAND Flash，除大陆西安厂外，亦将韩国京畿道华城厂Fab 16朝3D NAND Flash转换，并规划华城厂Fab 17一部分空间用于增产3D NAND Flash，且其兴建中的京畿道平泽新厂将涵盖生产次世代3D NAND Flash，以建构3D NAND Flash三大生产据点。

    2016年上半东芝已少量生产48层3D NAND Flash，待2016年第2季其位于日本三重县四日市工厂的第二栋厂房重建完毕，将朝正式量产迈进。为拉近落后于三星的距离，东芝与SanDisk阵营正检讨2016年下半量产64层3D NAND Flash的可能性。

    至于美光／英特尔(Intel)阵营及SK海力士，2016年上半皆已有32层3D NAND Flash样品，2016年下半可能量产32层／48层3D NAND Flash。

    据了解，三星已确立在大陆西安、韩国京畿道华城及平泽建构3D NAND Flash三大生产据点，其他存储器业者不仅3D NAND Flash产能难以与之抗衡，技术亦不易迎头赶上。

    来源：Digitimes