摘要：3D NAND Flash 存储器研发取得重要进展，为产业化打下坚实基础1、从技术角度看，3D NAND Flash 存储器产业化面临如下挑战：制造工艺开发（高深刻比刻蚀工艺等）、存储器件单元结构设计、存储器件单元集成、可靠性、NAND 阵列架构、存储芯片电路设计等。3D NAND Flash 的每个技术挑战都需要投入大量的研发力量去攻克。国内目前已完成工艺器件和电路设计的整套技术方案。

    我们认为，国内在3D NAND Flash 领域取得里程碑式进展，将为下一步的产业化铺平道路，有望缩小与国外同行的技术差距。

    3D NAND Flash 属于存储器领域的前沿技术，是存储器的最佳候选方案1、从技术分类看，存储器分为DRAM、NAND Flash、NOR flash。全球DRAM和NAND Flash 总产值约为存储器总产值的95%。NAND Flash 主要分为2DNAND 和3D NAND，2D NAND Flash、DRAM 技术相对成熟，3D NAND Flash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014 年率先在全球推出量产的32 层V-NAND 闪存，美光于2016 年推出32 层3D NAND 闪存（全球第二家实现3DNAND闪存量产）。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3D NAND Flash。

    我们认为，3D NAND Flash 相比2D NAND，在性能、容量、可靠性、成本方面拥有竞争优势，将成为存储器的主流技术。

    存储器是半导体产业的核心器件，其全球产值约为800 亿美元，DRAM 市场约为450 亿美元，NAND Flash 约为300 亿美元。2016 年，DRAM 大部分市场份额被三星、海力士、美光占据，三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NANDFlash 市场。中国是全球最大的电子产品生产基地和集散地，占据了全球存储器市场55%的市场份额......点击查看详情