摘要：根据台联电的官网资料，近期，台联电自主研发的14nm FinFET 制程技术已成功进入客户芯片量产阶段，联电14nm FinFET 制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28nm 增快55％，闸密度则达两倍，功耗较28 奈米减少约50％。

    此14nm 客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A 晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm 产能。

    我们认为，随着台联电代工进入14 纳米时代，其与大陆合资企业联芯的代工服务也将从目前的55/40 纳米演进至28 纳米。国内新建Foundry 厂商陆续投产将带动半导体设备、材料等环节发展。建议关注北方华创、上海新阳。

    据报道，苹果即将推出的iPhone 8 将对前置摄像头进行大幅升级，将为iPhone 8 搭载一颗前置3D 摄像头（集成IR 红外发射和接收模板）。我们认为，国内主流智能手机品牌厂商等将很快效仿苹果，促使图像传感器芯片厂商迅速推出相应芯片。随着双摄、3D 摄像、生物识别等技术加速渗透进入智能手机市场，图像传感器芯片、指纹识别芯片、TOF 传感器等需求将进一步增大，国内IC 封测产业链将受益。建议关注晶方科技、长电科技、华天科技。

    台联电副总出任晋华集成电路总经理，加速大陆存储器产业发展据台湾中央社报道，台联电资深副总经理担任晋华集成电路总经理，晋华预计最快将于2018 年量产；目前联电已组织数百人的团队从事DRAM 制造技术开发，预计将从32 纳米制程开始。我们认为，台湾DRAM 老将加盟、联电技术以及大陆资金支持将加速晋华集成电路产品落地，推动国内存储器产业发展......点击查看详情