中国半导体发展风起云涌，在市场、国安等考量下，记忆体成为中国重点发展项目。根据市场研究机构集邦科技最新报告指出，随著中国挟带著庞大的资金与地方政府的资源进军半导体中的记忆体领域，包含晋华电子、合肥长鑫、紫光集团在内的三大阵营已成形，利基型DRAM及NAND Flash是布局重点。

    集邦表示，紫光透过併购或争取技术母厂授权的策略多失败收场，但中国大陆积极吸收专业人才，无论是台湾地区的建厂人才，或是日韩的技术人才等，皆为大陆半导体厂的目标，并且从技术授权转为自主研发，处处可见大陆进军记忆体的强烈决心。

    大陆DRAM產业目前已有晋华电子、合肥长鑫等两大阵营。晋华电子专注利基型DRAM的开发，主攻消费型电子市场，技术合作伙伴是联电，希望凭藉著大陆本有的庞大内需市场壮大自身產能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将扰乱国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术硅智财（IP）走向国际市场。

    相较於晋华电子避开国际大厂的主力產品，合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式DRAM產品。行动式DRAM已是记忆体类别中占比最高的產品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，中国品牌手机出货已占全球逾4成，倘若LPDDR4能顺利量產并配合补贴政策，大陆官方进口取代的策略即可完成部分阶段性任务。

    观察大陆在NAND Flash领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为最快成军的开发厂商，初期也将以大陆内需市场的布局为主。由於长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期產品会以卡碟类为大宗。随著长江存储技术发展来到64/96层才有机会进军固态硬碟（SSD）市场，但此市场技术竞争相当激烈，没有中国政府的支持，短期会难以在成本上取得优势，利用中国内需市场壮大自己将是紫光集团未来可行的策略。

    而武汉新芯随著长江存储的成立后，将专注於NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试產线暂放在武汉新芯，但随著长江存储於武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。

    集邦指出，以目前现况来看，中国发展记忆体的策略能否成功，未来的3～5年将是极其重要的关键期，特别是强化硅智财的布局，中国政府以及厂商未来必须凭藉内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水准的產能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。

    来源：时报信息