联电(2303-TW)(UMC-US)22日宣布将于新加坡12吋晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。联电指出，此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元(折现新台币32.7亿元)，将会与包括微电子研究院等新加坡本地研究机构进行研发合作，并将已开发之技术，包含背照式影像传感器(BSI CMOS)、嵌入式内存、高压应用产品，以及直通硅晶穿孔连结等，应用于车用、行动、智能型手机与平板计算机等日益庞大的产品市场。另为强化特殊技术的研发，联电预计今年内将于Fab 12i厂增加逾80名工程师。

       联电营运长陈文洋表示，很高兴能够进一步拓展联电在新加坡的制造与研发投入。而联电拥有这座专为先进特殊技术研发与制造基地所设计的12吋晶圆厂，将可促进这些技术的及时问世，并让联电充分掌握跨入新市场的契机。

       他说明，联电之所以选择新加坡，在于新加坡可提供全力的支持、丰富的工程人力资源、以及完善的半导体产业架构。此外，新加坡健全的半导体产业环境，也将促成联电未来与新加坡本地企业合作的机会。

        新加坡经济发展局电子产业司长颜志强则表示，联电为全球顶尖晶圆厂之一，新加坡很荣幸联电选择在新加坡进行特殊技术的研发与制造。而联电持续投资新加坡，反映了对于新加坡研发机构与优质人力深具信心，而在联电开发未来尖端电子产品的同时，新加坡也将持续给予联电支持。

       Fab 12i厂是联电唯一位于台湾以外的12吋晶圆厂，现有月产能为近45,000片，占联电12吋晶圆总产出的45%。Fab 12i厂近期在特殊技术上的成果，包括为不同客户成功开发出的背照式影像传感器(BSI CMOS)，以及55奈米高效能eFlash cells。Fab 12i厂累积至今的投入金额约为36亿美元，现有员工人数约为1,600名。