台积电29日宣布领先积体电路制造服务领域，推出业界最完备的超低耗电技术平台，针对需要广泛技术支援且又快速成长的物联网及穿戴式装置市场提供必要技术，以满足市场多样化产品应用的需求。台积电表示，透过此技术平台提供多项制程技术，来大幅提升功耗优势以支援物联网及穿戴式产品，同时也提供完备的设计生态环境，加速客户产品上市时间。

    台积电表示，超低耗电制程组合除涵盖目前的0.18微米极低漏电制程（0.18eLL）、90奈米超低漏电制程（90uLL）及16奈米FinFET制程，更扩展至全新的55奈米超低耗电制程（55ULP）、40奈米超低耗电制程（40ULP）及28奈米超低耗电制程（28ULP）以支援运算速度高达1.2GHz之应用。此项涵盖0.18微米到16奈米FinFET的超低耗电制程组合适用于各种具节能效益的智慧型物联网及穿戴式产品。

    其中，0.18微米至40奈米的超低耗电制程亦具备射频及嵌入式快闪记忆体功能，能进行系统级整合以有效缩小尺寸外观，并藉由无线传输技术串连物联网产品。而相较前一代的低耗电制程，超低耗电制程能够进一步降低操作电压达20到30%，以减少动态与静态功耗，同时大幅延长物联网及穿戴式产品轻薄短小电池的使用寿命达2至10倍。

    台积电总经理暨共同执行长刘德音博士表示，超低耗电及无所不在的连结功能是物联网能否成功的关键，这次领先业界成功推出完备的技术平台，有效满足多样化物联网市场的需求与创新。公司针对此新兴市场所提供的广泛技术组合，展现了技术领导地位以及带给客户最大价值的承诺，并协助客户打造具竞争性的产品，成功赢得设计合作案。

    此外，台积电强调，客户利用“开放创新平台”所提供的既有矽智财设计生态环境，是公司超低耗电技术平台额外提供的一个重要价值。当晶片设计人员进行新的超低耗电制程设计时，能够轻易再使用公司低耗电制程的矽智财与元件资料库，以提高首次设计即生产成功的机率，并达到产品迅速上市的目标。

    台积电预计2014年与客户在55奈米超低耗电制程、40奈米超低耗电制程及28奈米超低耗电制程初步达成数项设计合作案，并在2015年进入试产。（来源：自由时报）