日立化成(Hitachi Chemical)30日发布新闻稿宣布，因半导体元件需求增加、提振半导体研磨材料需求攀高，故决议投下约30亿日圆、于台日据点进行增产投资，目标在2018年夏天将半导体研磨材料“Nano Ceria Slurry(见附图)”产能扩增至现行的约5倍。

    “Nano Ceria Slurry”为日立化成化学机械研磨液(CMP Slurry)的新产品，和原有产品相比、可将半导体基板的研磨伤痕减低至1/10左右水准。

    日立化成指出，该公司目前于日本山崎事业所生产“Nano Ceria Slurry”，此次除计划扩增山崎事业所产能之外，为了及时因应亚州半导体厂商的需求，也将在台湾子公司“台湾日立化成电子材料股份所限公司(Hitachi Chemical Electronic Materials (Taiwan) Co., Ltd. )”导入新量产设备、开始生产“Nano Ceria Slurry”。

    日立化成并于30日盘后公布今年度前三季(2017年4-12月)财报；因3D NAND Flash需求夯、提振CMP Slurry销售增加，加上PCB用感光膜等产品需求佳，带动合并营收大增24.2%至4977亿日圆，不过因提列电容事业违反独占禁止法相关费用，拖累合并营益下滑11.8%至359亿日圆、合并纯益萎缩5.6%至295亿日圆。

    日立化成并指出，因预估本季(2018年1-3月)智慧手机市况将恶化，导致电子材料、树脂材料销售恐逊于预期，因此将今年度(2017年4月-2018年3月)合并营益目标自原先预估的510亿日圆下修至490亿日圆、合并纯益自405亿日圆下修至400亿日圆，合并营收则维持于原先预估的6,700亿日圆不变。 

    截至台北时间31日上午12点15分为止，日立化成大跌3.34%至2837日圆，创一个半月来(2017年12月15日以来)新低水准。

    来源：精实新闻