台积电今天宣布与中国大陆IC设计厂海思半导体合作，成功产出业界首颗以FinFET(鳍式场效电晶体)制程及ARM架构为基础，功能完备的网通处理器。

    台积电的16FinFET制程能够显着改善速度与功率，并且降低漏电流，有效克服先进系统单晶片技术微缩时所产生的关键障碍。相较于台积电28奈米高效能行动运算(28HPM)制程，16FinFET制程的晶片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40%，在相同速度下功耗降低逾60%。

    台积电指出，16FinFET制程早于2013年11月即完成所有可靠性验证，良率表现优异，并进入试产阶段。现这项产品问世是一个里程碑，证明双方合作的成果，同时也展现台积电坚持提供业界领先技术的承诺，以满足客户对下一世代高效能及具节能效益产品之与日俱增的需求。

    藉由台积电的16FinFET制程，海思半导体得以生产具显着效能与功耗优势的全新处理器，以支援高阶网通应用产品。海思半导体同时亦采用台积电经过生产验证且能整合多元技术晶片的CoWoS三维积体电路封装技术，能有效整合16奈米逻辑晶片与28奈米输出/输入晶片，提供具成本效益的系统解决方案。（来源：经济日报）